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iShares安硕半导体ETFGAS-GARCH学生T分布模型(波动性分析模型)

2026年10月6日 星期二的波动率预测

1天

35.26%

decreased by 1.69%

1周

35.34%

decreased by 1.61%

1个月

35.63%

decreased by 1.32%

更新于2026年10月5日星期一 UTC 21:26

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时间范围:

从

24-10-05

至

26-10-05

6月 ·

1年 ·

2年 ·

5年 ·

10年 ·

全部

iShares安硕半导体ETF GAS-GARCH-T 图表

新息冲击曲线

收益如何影响次日的波动率

波动率预测

波动率如何随时间演变

参数估计

2001年7月13日 至 2026年10月2日

模型洞察

在持续性为 0.996 时,波动率冲击的半衰期为 192个交易日(约0.8年),接近单位根,因此长期预测对该估计非常敏感。 收益服从学生t分布,自由度为 v = 10.22,比正态分布捕捉到更厚的尾部。

𝑓

GAS-GARCH-T 模型

点击查看方程

高持续性: 持续性0.996,冲击半衰期约192天v = 10.22 · 厚尾
参数值t统计量
ω常数项7.8642
1.14
αARCH0.0703
9.85***
βGARCH0.9964
299.22***
ν自由度10.2194
1.28

0.996

持续性

192天

半衰期
𝑓

GAS-GARCH-T 模型

点击查看方程

参数值t统计量
ω

常数项

无条件方差权重

7.8642
1.14
α

ARCH

对平方冲击的反应

0.0703
9.85***
β

GARCH

波动率持续性

0.9964
299.22***
ν

自由度

学生t尾部厚度

10.2194
1.28

持续性:

0.996

半衰期:

192天