跳转到主要内容
V-Lab
V-Lab

iShares安硕半导体ETF乘法误差模型(波动性分析模型)

2026年9月14日 星期一的波动率预测

1天

29.00%

decreased by 0.60%

1周

29.20%

decreased by 0.40%

1个月

29.91%

increased by 0.31%

更新于2026年9月11日星期五 UTC 22:32

时间范围:

6月 ·

1年 ·

2年 ·

5年 ·

10年 ·

全部

graph of iShares安硕半导体ETF MEM

新息冲击曲线

收益如何影响次日的波动率

波动率预测

波动率如何随时间演变

参数估计

2001年7月13日 至 2026年9月11日

模型洞察

波动率冲击以 47个交易日 的半衰期衰减,意味着冲击在约47天后损失一半的影响。

μ

MEM 模型

点击查看方程

冲击衰减: 冲击的半衰期为47天
参数t统计量
ω常数项0.0723
1.79*
αARCH0.1889
11.00***
βGARCH0.7965
61.91***

0.985

持续性

47天

半衰期
μ

MEM 模型

点击查看方程

参数t统计量
ω

常数项

无条件方差权重

0.0723
1.79*
α

ARCH

对平方冲击的反应

0.1889
11.00***
β

GARCH

波动率持续性

0.7965
61.91***

持续性:

0.985

半衰期:

47天