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iShares安硕半导体ETFGJR-GARCH模型(波动性分析模型)

2026年10月6日 星期二的波动率预测

1天

32.65%

decreased by 1.18%

1周

32.65%

decreased by 1.18%

1个月

32.66%

decreased by 1.17%

更新于2026年10月5日星期一 UTC 21:25

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时间范围:

从

24-10-05

至

26-10-05

6月 ·

1年 ·

2年 ·

5年 ·

10年 ·

全部

iShares安硕半导体ETF GJR-GARCH 图表

新息冲击曲线

收益如何影响次日的波动率

波动率预测

波动率如何随时间演变

参数估计

2001年7月13日 至 2026年10月2日

模型洞察

该资产表现出强的杠杆效应:负收益使次日波动率比同等正收益多增加215%。

σ

GJR-GARCH 模型

点击查看方程

杠杆效应: 负收益对波动率的影响比正收益大215%
参数值t统计量
ω常数项0.0481
4.04***
αARCH0.0327
2.79***
βGARCH0.9208
104.24***
γ杠杆0.0703
3.25***

0.989

持续性

61天

半衰期
σ

GJR-GARCH 模型

点击查看方程

参数值t统计量
ω

常数项

无条件方差权重

0.0481
4.04***
α

ARCH

对平方冲击的反应

0.0327
2.79***
β

GARCH

波动率持续性

0.9208
104.24***
γ

杠杆

对负向冲击的额外反应

0.0703
3.25***

持续性:

0.989

半衰期:

61天