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iShares安硕半导体ETFGJR-GARCH模型(波动性分析模型)

2026年10月27日 星期二的波动率预测

1天

49.12%

decreased by 1.24%

1周

48.82%

decreased by 1.54%

1个月

47.69%

decreased by 2.67%

更新于2026年10月26日星期一 UTC 21:28

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时间范围:

从

24-10-26

至

26-10-26

6月 ·

1年 ·

2年 ·

5年 ·

10年 ·

全部

iShares安硕半导体ETF GJR-GARCH 图表

新息冲击曲线

收益如何影响次日的波动率

波动率预测

波动率如何随时间演变

参数估计

2001年7月13日 至 2026年10月23日

模型洞察

该资产表现出强的杠杆效应:负收益使次日波动率比同等正收益多增加219%。

σ

GJR-GARCH 模型

点击查看方程

杠杆效应: 负收益对波动率的影响比正收益大219%
参数值t统计量
ω常数项0.0477
4.01***
αARCH0.0323
2.77***
βGARCH0.9212
105.28***
γ杠杆0.0707
3.28***

0.989

持续性

62天

半衰期
σ

GJR-GARCH 模型

点击查看方程

参数值t统计量
ω

常数项

无条件方差权重

0.0477
4.01***
α

ARCH

对平方冲击的反应

0.0323
2.77***
β

GARCH

波动率持续性

0.9212
105.28***
γ

杠杆

对负向冲击的额外反应

0.0707
3.28***

持续性:

0.989

半衰期:

62天