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Sivers Semiconductors ABGAS-GARCH学生T分布模型(波动性分析模型)

2026年10月1日 星期四的波动率预测

1天

88.30%

decreased by 9.20%

1周

87.59%

decreased by 9.91%

1个月

85.15%

decreased by 12.35%

更新于2026年10月1日星期四 UTC 21:51

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时间范围:

从

24-09-30

至

26-09-30

6月 ·

1年 ·

2年 ·

5年 ·

10年 ·

全部

Sivers Semiconductors AB GAS-GARCH-T 图表

新息冲击曲线

收益如何影响次日的波动率

波动率预测

波动率如何随时间演变

参数估计

2014年3月17日 至 2026年9月25日

模型洞察

波动率冲击以 25个交易日 的半衰期衰减,意味着冲击在约25天后损失一半的影响。 收益服从学生t分布,自由度为 v = 3.37,比正态分布捕捉到更厚的尾部。

𝑓

GAS-GARCH-T 模型

点击查看方程

冲击衰减: 冲击的半衰期为25天v = 3.37 · 厚尾
参数值t统计量
ω常数项21.6490
0.96
αARCH0.1008
6.31***
βGARCH0.9724
32.54***
ν自由度3.3739
3.45***

0.972

持续性

25天

半衰期
𝑓

GAS-GARCH-T 模型

点击查看方程

参数值t统计量
ω

常数项

无条件方差权重

21.6490
0.96
α

ARCH

对平方冲击的反应

0.1008
6.31***
β

GARCH

波动率持续性

0.9724
32.54***
ν

自由度

学生t尾部厚度

3.3739
3.45***

持续性:

0.972

半衰期:

25天