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Sivers Semiconductors ABGAS-GARCH学生T分布模型(波动性分析模型)

2026年9月11日 星期五的波动率预测

1天

141.31%

decreased by 2.78%

1周

138.58%

decreased by 5.51%

1个月

129.02%

decreased by 15.07%

更新于2026年9月11日星期五 UTC 21:19

时间范围:

6月 ·

1年 ·

2年 ·

5年 ·

10年 ·

全部

graph of Sivers Semiconductors AB GAS-GARCH-T

新息冲击曲线

收益如何影响次日的波动率

波动率预测

波动率如何随时间演变

参数估计

2014年3月17日 至 2026年9月4日

模型洞察

波动率冲击以 25个交易日 的半衰期衰减,意味着冲击在约25天后损失一半的影响。 收益服从学生t分布,自由度为 v = 3.36,比正态分布捕捉到更厚的尾部。

𝑓

GAS-GARCH-T 模型

点击查看方程

冲击衰减: 冲击的半衰期为25天v = 3.36 · 厚尾
参数t统计量
ω常数项22.0030
0.95
αARCH0.1014
6.37***
βGARCH0.9728
32.95***
ν自由度3.3617
3.52***

0.973

持续性

25天

半衰期
𝑓

GAS-GARCH-T 模型

点击查看方程

参数t统计量
ω

常数项

无条件方差权重

22.0030
0.95
α

ARCH

对平方冲击的反应

0.1014
6.37***
β

GARCH

波动率持续性

0.9728
32.95***
ν

自由度

学生t尾部厚度

3.3617
3.52***

持续性:

0.973

半衰期:

25天