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道富SPDR标普半导体ETF乘法误差模型(波动性分析模型)

2026年9月14日 星期一的波动率预测

1天

33.91%

increased by 0.40%

1周

33.87%

increased by 0.36%

1个月

33.72%

increased by 0.21%

更新于2026年9月12日星期六 UTC 00:05

时间范围:

6月 ·

1年 ·

2年 ·

5年 ·

10年 ·

全部

graph of 道富SPDR标普半导体ETF MEM

新息冲击曲线

收益如何影响次日的波动率

波动率预测

波动率如何随时间演变

参数估计

2006年2月6日 至 2026年9月11日

模型洞察

波动率冲击以 23个交易日 的半衰期衰减,意味着冲击在约23天后损失一半的影响。

μ

MEM 模型

点击查看方程

冲击衰减: 冲击的半衰期为23天
参数t统计量
ω常数项0.1269
2.17**
αARCH0.1973
8.81***
βGARCH0.7735
51.66***

0.971

持续性

23天

半衰期
μ

MEM 模型

点击查看方程

参数t统计量
ω

常数项

无条件方差权重

0.1269
2.17**
α

ARCH

对平方冲击的反应

0.1973
8.81***
β

GARCH

波动率持续性

0.7735
51.66***

持续性:

0.971

半衰期:

23天